Multiple Scanning Knife-Edge Beam Profiler

BA-USB

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Multiple Scanning Knife-Edge Beam Profiler

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BA-USB

Ein kompaktes eigenständiges Strahlmessgerät

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Name Spektralbereich Strahldurchmesser-Bereich Anzahl der Klingen Delivery Preis Add to cart

Silikon (Si) Strahlprofilierer, 3 Klingen für 350 - 1100 nm
BA3-Si-USB

350 - 1100 nm

3 µm - 5 mm

6-12 weeks

6.035,00 €

Specifications	3-blades, Si detector 5mm circular
Sensor Type	Silicone (Si)
Beamwidth Auflösung	1 µm für beams>100 µm in Größe, 0.1µm für beams<100µm in Größe
Beamwidth Accuracy	±2%
Leistung Range	10 µW to 1 W
Leistung Accuracy	±5%
Position Auflösung	1 µm
Position Accuracy	±15 µm
Saturation	0.1 W/cm² ohne filter
Measurement Rate	5 Hz
Betriebstemperatur	10°C to 35°C

InGaAs (IR)-Strahlprofiler, 7 Klingen für 800 - 1800 nm
BA7-IR3-USB

800 - 1800 nm

15 µm - 3 mm

6-12 weeks

6.647,00 €

Specifications	7-blades, InGaAs detector 3mm circular
Sensor Type	InGaAs (IR)
Beamwidth Auflösung	1 µm für beams>100 µm in Größe, 0.1µm für beams<100µm in Größe
Beamwidth Accuracy	±2%
Leistung Range	10 µW to 5 mW
Leistung Accuracy	±10%
Position Auflösung	1 µm
Position Accuracy	±15 µm
Saturation	0.1 W/cm² ohne filter
Measurement Rate	5 Hz
Betriebstemperatur	10°C to 35°C

UV-Silizium (UV-Si) Strahlprofiler, 7 Lamellen für 190 - 1100 nm
BA7-UV-USB

190 - 1100 nm

15 µm - 9 mm

6-12 weeks

6.970,00 €

Specifications	7-blades, UV-Si detector 9mm square
Sensor Type	UV-Silicon (UV-Si)
Leistung Range	10 µW to 1 W
Position Accuracy	±15 µm
Beamwidth Accuracy	±2%
Beamwidth Auflösung	1 µm für beams>100 µm in Größe, 0.1µm für beams<100µm in Größe
Betriebstemperatur	10°C to 35°C

InGaAs (IR) Strahlprofiler, 3 Flügel für 800 - 1800 nm
BA3-IR3-USB

800 - 1800 nm

3 µm - 3 mm

6-12 weeks

6.341,00 €

Specifications	3-blades, InGaAs Enhanced 3mm circular
Sensor Type	InGaAs (IR)
Beamwidth Auflösung	1 µm für beams>100 µm in Größe, 0.1µm für beams<100µm in Größe
Beamwidth Accuracy	±2%
Leistung Range	10 µW to 5 mW
Leistung Accuracy	±10%
Position Auflösung	1 µm
Position Accuracy	±15 µm
Saturation	0.1 W/cm² ohne filter
Betriebstemperatur	10°C to 35°C
Measurement rate	5 Hz

UV-Silizium (UV-Si) Strahlprofiler, 3 Lamellen für 190 - 1100 nm
BA3-UV-USB

190 - 1100 nm

3 µm - 5 mm

6-12 weeks

6.494,00 €

Specifications	3-blades, UV-Si detector 5mm circular
Sensor Type	UV-Silicon (UV-Si)
Beamwidth Auflösung	1 µm für beams>100 µm in Größe, 0.1µm für beams<100µm in Größe
Beamwidth Accuracy	±2%
Leistung Range	10 µW to 1 W
Leistung Accuracy	±5%
Position Auflösung	1 µm
Position Accuracy	±15 µm
Saturation	0.1 W/cm² ohne filter
Measuremet Rate	5 Hz
Betriebstemperatur	10°C to 35°C

InGaAs (IR)-Strahlprofilierer, 7 Lamellen für 800 - 1800 nm
BA7-IR5-USB

800 - 1800 nm

15 µm - 5mm

6-12 weeks

8.500,00 €

Specifications	7-blades, InGaAs detector 5mm circular
Sensor Type	InGaAs (IR)
Beamwidth Auflösung	1 µm für beams>100 µm in Größe, 0.1µm für beams<100µm in Größe
Beamwidth Accuracy	±2%
Leistung Range	10 µW to 5 mW
Leistung Accuracy	±10%
Position Auflösung	1 µm
Position Accuracy	±15 µm
Saturation	0.1 W/cm² ohne filter
Measurement Rate	5 Hz
Betriebstemperatur	10°C to 35°C

InGaAs Enhanced (IRE) Strahlprofiler, 3 Klingen für 1200 - 2700 nm
BA3-IR3E-USB

1200 - 2700 nm

3 µm - 3 mm

6-12 weeks

8.670,00 €

Leistung Range	10 µW to 5 mW
Pwer Accuracy	±10%
Position Auflösung	1 µm
Position Accuracy	±15 µm
Saturation	0.1 W/cm² ohne filter
Measurement Rate	5 Hz
Betriebstemperatur	10°C to 35°C

InGaAs (IR)-Strahlprofiler, 3 Klingen für 800 - 1800 nm
BA3-IR5-USB

800 - 1800 nm

3 µm - 5 mm

6-12 weeks

8.041,00 €

Specifications	3-blades, InGaAs detector 5mm circular
Sensor Type	InGaAs (IR)
Beamwidth Auflösung	1 µm für beams>100 µm in Größe, 0.1µm für beams<100µm in Größe
Beamwidth Accuracy	±2%
Leistung Range	10 µW to 5 mW
Leistung Accuracy	±10%
Saturation	0.1 W/cm² ohne filter
Operature Temperatur	10°C to 35°C

InGaAs Enhanced (IRE) Strahlprofiler, 7 Lamellen für 1200 - 2700 nm
BA7-IR3E-USB

1200 - 2700 nm

15 µm - 3 mm

6-12 weeks

8.976,00 €

Specifications	7-blades, InGaAs Enhanced 3mm circular
Sensor Type	InGaAs Enhanced (IRE)
Beamwidth Auflösung	1 µm für beams>100 µm in Größe, 0.1µm für beams<100µm in Größe
Beamwidth Accuracy	±2%
Leistung Range	10 µW to 5 mW
Leistung Accuracy	±10%
Position Auflösung	1 µm
Position Accuracy	±15 µm
Saturation	0.1 W/cm² ohne filter
Measurement Rate	5 Hz
Betriebstemperatur	10°C to 35°C

Silikon (Si) Strahlprofilierer, 7 Lamellen für 350 - 1100 nm
BA7-Si-USB

350 - 1100 nm

15 µm - 9 mm

6-12 weeks

6.494,00 €

Specifications	7-blades, Si detector 9mm square
Sensor Type	Silicone (Si)
Beamwidth Auflösung	1 µm für beams>100 µm in Größe, 0.1µm für beams<100µm in Größe
Beamwidth Accuracy	±2%
Leistung Range	10 µW to 1 W
Leistung Accuracy	±5%
Position Auflösung	1 µm
Position Accuracy	±15 µm
Saturation	0.1 W/cm² ohne filter
Measurement Rate	5 Hz
Betriebstemperatur	10°C to 35°C

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